中芯国际14nm制程工艺已成熟 国产光刻机何时能突破5nm？

国内芯片制造技术距离5nm制程工艺还有很长的时间要走，最快也需要3-5年的时间，目前国内最优秀的芯片制造企业中芯国际，能够批量化代工生产的制程工艺也就只是14nm，距离5nm至少还差三代。

中芯国际目前是国内掌握最先进制程工艺的企业，14nm制程工艺已经非常成熟，可以大规模批量化生产。目前中芯国际正在向更先进的制程工艺迈进，提出了N+1、N+2工艺。N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%，之后的N+2工艺在各方面的表现会比N+1更好。

据相关人士透露，中芯国际的N+1工艺和台积电第一代7nm工艺(未采用EUV光刻机)相差无几，只不过在性能的提升上稍有欠缺，N+2工艺和台积电7nm+基本持平。此外中芯国际的N+1工艺预计在今年的第四季度批量化生产，这样一来我国距离5nm制程工艺又近了一步。

目前国内最先进的光刻机制造公司上海微电子也仅仅只能生产出90nm的光刻机，虽然有媒体称，上海微电子已经成功突破光刻机瓶颈，从90nm跨越到了28nm，2021年实现量产，但这相较于荷兰ASML公司的5nm的光刻机还是存在着很大差距。而中芯国际从荷兰ASML购买的光刻机，由于他国干预导致已经拖延两年的时间了，还是迟迟不给交付。

虽然中芯国际的N+1、N+2工艺无需EUV光刻机就能生产，但是后面的5nm、3nm是必须要有EUV光刻机的。如果中芯国际无法从荷兰ASML购买到EUV光刻机，那5nm制程工艺的实现就要难于登天了，3nm制程工艺就更不用想了。综上所述国内5nm制程工艺的突破，不仅自身的技术方案能够支持，更重要的是EUV光刻机这个重要的生产工具，两者缺一不可。