三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高NAND闪存芯片产量

据外媒报道，三星电子公司拟将在中国芯片工场的投资促进到80亿美元，之提高NAND闪存芯片产量。

三星促进投资正值内存芯片代价有瞅于来岁反弹之际，由于提供有限，市场对付5G装备和网络的需求也在不竭上升。三星是举世最年夜的NAND闪存芯片制造商，这种芯片可以可用于挪动装备、存储卡、U盘和固态硬盘中。

2017年，三星颁布揭晓将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工场投资70亿美元。在这些投资举行之前，该公司曾经向西安的一家测试和包装工场投资108亿美元。三星对付此谢尽置评。

三星在NAND闪存规模的竞争对付手囊括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)和日本东芝，几家中国企业也正试图进进内存规模，但它们至今尚无取患上太年夜告成，还不足以与这些巨子竞争。

本年秋日，长江存储科技有限责任公司(YMTC)颁布揭晓，将初步年夜规模分娩64层3D NAND芯片，这是多半领先行业企业顺从的基准。