国内28nm光刻机有望明年实现 采用55nm/65nm制造工艺

中国本身有一些相当有竞争力的半导体生产商，但这些公司都使用在其他国家开发和制造的生产设备，如日本、荷兰和美国。

据TomsHardware报道，上海微电子设备公司(SMEE)据说有望在2021年第四季度之前交付其第二代深紫外(DUV)光刻机。该设备可以使用28nm工艺技术生产芯片，依靠的是国内和日本生产的组件，并不依赖美国制造的任何设备。在现阶段中美贸易战持续进行的情况下，这一点越来越重要。

作为中国半导体产业自给自足的多方面计划的一部分，国内不仅鼓励芯片开发和本地制造，而且还支持半导体生产设备的制造。目前上海微电子设备公司官方网站上最高端的光刻机为SMEE SSA600/20，是一种浸入式深紫外光刻工具，配备了193nm的氟化氩(ArF)激光器。英特尔和台积电等公司早在2004年就开始使用浸入式DUV光刻技术，因此SSA600/200很难说是一款先进的设备。

SSA600/20机器的后继者将继续使用ArF光源，根据Verdict的说法，那款即将推出的光刻机有望可以使用28nm工艺技术制造芯片。显然，这系列光刻机可用于40nm级，以及55nm/65nm制造工艺，这些工艺在多种应用中相当受欢迎。到2023年，SMEE希望生产出足以满足20nm节点的光刻机，不过即将推出的光刻机某些部件将使用日本制造的零件，但其中没有使用任何来自美国的成分。

台积电早在2011年就采用了28nm工艺技术，使用的是ASML的光刻机，因此即使SMEE在2021年第四季度出货制造28nm芯片的设备时，也比全球第一大光刻工具供应商落后至少10年。不过目前28nm工艺技术的应用相当广泛，在未来很多年内，28nm工艺技术还将继续用于不需要FinFET晶体管的芯片。例如，电视机制造商康佳集团上个月披露，计划与当地政府在江西省南昌市建设一个价值45亿美元的半导体产业园。电视机和消费类采用的电子部件几乎不需要领先的工艺技术，因此28nm节点工艺对它们来说可能是恰到好处的。因此，上海微电子即将推出的DUV工具有望成为客户欢迎的拳头产品。

与此同时，那些已经采用其28nm工艺技术，使用ASML和尼康光刻机的芯片制造商，很可能不得不重新设计其节点，以使用上海微电子的新设备。因此，虽然距离国内最先进的光刻机还有一年左右的时间，但要被本土半导体行业广泛采用还需要一定的时间。

SMEE的新一代ArF DUV光刻机无疑是国内在半导体行业实现自给自足的一步。同时，为了不依赖国外的技术，中国还有一个关键因素迫切需要解决和发展。目前所有对现代芯片开发至关重要的先进电子设计自动化(EDA)开发工具都来自美国的公司。在国内公司能够设计出与Cadence、Mentor Graphics或Synopsys公司的产品具备有竞争力之前，国内开发的所有芯片都将使用美国的软件进行设计。