大摩：合肥长鑫17nm工艺DRAM芯片良率达40%

经过几年的追赶，国产DRAM内存芯片由合肥长鑫在2019年量产，首发的是19nm工艺，今年合肥长鑫就要推出下一代的17nm工艺内存芯片了，不过首发产品不是传闻中的DDR5，而是DDR4。

来自大摩的分析称，合肥长鑫的17nm工艺DRAM芯片良率已经达到了40%，预计Q2季度就会给客户供应产品，其成本相比台系厂商的20nm、25nm工艺内存更有优势。

至于生产方面，大摩称合肥长鑫的产能今年会增加到8万片晶圆/月，并在北京新建工厂，量产17nm工艺内存芯片。

此前的报道中，长鑫还会研发7nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存，再下一代的10G5工艺中，除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存。

此外，长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标，2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。

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