佰维推出旗舰智能手机存储芯片——UFS3.1高速闪存

(资料图)

佰维存储嵌入式事业部总经理刘阳表示:“智能手机已经成为我们生活中不可或缺的一部分。随着高速5G网络、创新传感器和人工智能的应用普及,更高分辨率的视频和图像内容、复杂丰富的应用程序以及实时的通讯交互等等,都对手机系统架构的各方面性能提出了更高要求,也给手机存储带来严峻的挑战。佰维通过提供更优异的存储解决方案,可为手机等移动设备带来敏捷的响应速度和畅快的使用体验。”

手机“性能铁三角”——SoC、运行内存、闪存决定了一款手机的用户体验和定位,其中存储器性能和容量对用户体验的影响越来越大。

针对旗舰智能手机,佰维推出了UFS3.1高速闪存,写入速度最高可达1800MB/s,是上一代通用闪存存储的4倍以上,读取速度高达2100MB/s,容量高达256GB(未来将推出512GB、1TB容量),尺寸为11.5×13.0×1.0mm。值得一提的是,佰维UFS2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证,是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时,佰维可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案,其中佰维LPDDR5产品的运行速度高达6400Mbps,容量最高可达64Gb。

固件算法是构造存储器高性能、低功耗等特性的核心所在,佰维依托自研固件算法能力,同时根据JEDEC 发布的UFS 3.1 规范,为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能,确保产品高速运行的同时,降低产品功耗。佰维UFS3.1优异的表现,助力提升移动智能终端高清视频解码、程序安装启动、连续快拍、相册图片载入、大文件拷贝、游戏加载等使用体验。

在嵌入式存储领域,佰维是国内市场份额前列的自主品牌企业,目前公司产品已进入主流智能终端厂商的供应链体系。未来,佰维将持续深化研发封测一体化布局,发挥公司在嵌入式存储领域的先发优势,赋能移动智能终端市场和客户。

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